[1] C. R. Eddy, Jr. and D. K. Gaskill, Science 2009,324, 1398-1400.
[2] T.-H. Lee, S. Bhunia and M. Mehregany, Science2010, 329, 1316-1318.
[3] M. Chaturvedi, S. Dimitrijev, D. Haasmann, H. A. Moghadam, P.
Pande and U. Jadli, Sci. Rep. 2022, 12, 4076.
[4] J. B. Casady and R. W. Johnson, Solid-State Electron.1996, 39, 1409-1422.
[5] P. Chiu and E. Dogmus, Yole Dévelopement 2022,
1-180.
[6] B. Shi, A. I. Ramones, Y. Liu, H. Wang, Y. Li, S. Pischinger and
J. Andert, IET Power Electronics 2023, DOI:
10.1049/pel2.12524.
[7] Z. Cheng, J. Liang, K. Kawamura, H. Zhou, H. Asamura, H.
Uratani, J. Tiwari, S. Graham, Y. Ohno, Y. Nagai, T. Feng, N. Shigekawa
and D. G. Cahill, Nat. Commun. 2022, 13, 7201.
[8] F. La Via, M. Zimbone, C. Bongiorno, A. La Magna, G. Fisicaro,
I. Deretzis, V. Scuderi, C. Calabretta, F. Giannazzo, M. Zielinski, R.
Anzalone, M. Mauceri, D. Crippa, E. Scalise, A. Marzegalli, A. Sarikov,
L. Miglio, V. Jokubavicius, M. Syvajarvi, R. Yakimova, P. Schuh, M.
Scholer, M. Kollmuss and P. Wellmann, Materials 2021,14, 5348.
[9] F. La Via, Compd. Semicond. 2022, 28,
36-40.
[10] M. Jennings, Compd. Semicond. 2022, 28,
52-56.
[11] M. Bhatnagar and B. J. Baliga, IEEE Trans. Electron
Devices 1993, 40, 645-655.
[12] S. N. Gorin and L. M. Ivanova, Phys. Status Solidi (b)1997, 202, 221-245.
[13] H.-P. Phan, P. Hoang-Phuong, T. Dinh, T. Kozeki, A. Qamar, T.
Namazu, S. Dimitrijev, N. Nam-Trung and D. Dzung Viet, Sci. Rep.2016, 6, 28499.
[14] P. Tanner, A. Iacopi, H.-P. Phan, S. Dimitrijev, L. Hold, K.
Chaik, G. Walker, D. V. Dao and N.-T. Nguyen, Sci. Rep.2017, 7, 17734.
[15] A. Schöner, M. Krieger, G. Pensl, M. Abe and H. Nagasawa,Chem. Vap. Deposition 2006, 12, 523-530.
[16] M. Soueidan and G. Ferro, Adv. Funct. Mater.2006, 16, 975-979.
[17] R. Vasiliauskas, S. Juillaguet, M. Syväjärvi and R. Yakimova,J. Cryst. Growth 2012, 348, 91-96.
[18] K. Semmelroth, M. Krieger, G. Pensl, H. Nagasawa, R. Puesche,
M. Hundhausen, L. Ley, M. Nerding and H. P. Strunk, J. Cryst.
Growth 2007, 308, 241-246.
[19] T. Ujihara, R. Maekawa, R. Tanaka, K. Sasaki, K. Kuroda and Y.
Takeda, J. Cryst. Growth 2008, 310, 1438-1442.
[20] T. Ujihara, K. Seki, R. Tanaka, S. Kozawa, Alexander, K.
Morimoto, K. Sasaki and Y. Takeda, J. Cryst. Growth2011, 318, 389-393.
[21] S. Parthasarathy, Compd. Semicond. 2021,27, 20-24.
[22] D. Nakamura, I. Gunjishima, S. Yamaguchi, T. Ito, A. Okamoto,
H. Kondo, S. Onda and K. Takatori, Nature 2004,430, 1009-1012.
[23] V. Jokubavicius, G. R. Yazdi, R. Liljedahl, I. G. Ivanov, R.
Yakimova and M. Syvajarvi, Cryst. Growth Des. 2014,14, 6514-6520.
[24] R. Vasiliauskas, M. Marinova, P. Hens, P. J. Wellmann, M.
Syväjärvi and R. Yakimova, Cryst. Growth Des. 2012,12, 197-204.
[25] M. Schöler, F. La Via, M. Mauceri and P. J. Wellmann,Cryst. Growth Des. 2021, 21, 4046-4054.
[26] V. Jokubavicius, G. R. Yazdi, R. Liljedahl, I. G. Ivanov, J. W.
Sun, X. Y. Liu, P. Schuh, M. Wilhelm, P. Wellmann, R. Yakimova and M.
Syvajarvi, Cryst. Growth Des. 2015, 15,
2940-2947.
[27] C. H. Park, B.-H. Cheong, K.-H. Lee and K. J. Chang,Phys. Rev. B 1994, 49, 4485-4493.
[28] S. Ramakers, A. Marusczyk, M. Amsler, T. Eckl, M. Mrovec, T.
Hammerschmidt and R. Drautz, Phys. Rev. B 2022,106, 075201.
[29] I. Egry, E. Ricci, R. Novakovic and S. Ozawa, Adv.
Colloid Interface Sci. 2010, 159, 198-212.
[30] G. Wang, D. Sheng, H. Li, Z. Zhang, L. Guo, Z. Guo, W. Yuan, W.
Wang and X. Chen, CrystEngComm 2023, 25, 560-566.
[31] L. Patrick and W. J. Choyke, Phys. Rev. 1969,186, 775-777.
[32] S. Rohmfeld, M. Hundhausen and L. Ley, Phys. Rev. B1998, 58, 9858-9862.
[33] H. Mukaida, H. Okumura, J. H. Lee, H. Daimon, E. Sakuma, S.
Misawa, K. Endo and S. Yoshida, J. Appl. Phys. 1987,62, 254-257.
[34] S. Nakashima and H. Harima, Phys. Status Solidi (a)1997, 162, 39-64.
[35] M. Bechelany, A. Brioude, D. Cornu, G. Ferro and P. Miele,Adv. Funct. Mater. 2007, 17, 939-943.
[36] R. Vasiliauskas, M. Marinova, P. Hens, P. Wellmann, M.
Syvajarvi and R. Yakimova, Cryst. Growth Des. 2012,12, 197-204.
[37] R. W. Bartlett and M. Barlow, J. Electrochem. Soc.1970, 117, 1436-1437.
[38] P. G. Neudeck, J. A. Powell, D. J. Spry, A. J. Trunek, X.
Huang, W. M. Vetter, M. Dudley, M. Skowronski and J. Q. Liu,Mater. Sci. Forum 2003, 433-436, 213-216.
[39] C. Calabretta, V. Scuderi, C. Bongiorno, A. Cannizzaro, R.
Anzalone, L. Calcagno, M. Mauceri, D. Crippa, S. Boninelli and F. La
Via, Cryst. Growth Des. 2022, 22, 4996-5003.
[40] T. Ohno, H. Yamaguchi, S. Kuroda, K. Kojima, T. Suzuki and K.
Arai, J. Cryst. Growth 2004, 260, 209-216.
[41] J. Takahashi, M. Kanaya and Y. Fujiwara, J. Cryst.
Growth 1994, 135, 61-70.
[42] J. Heindl, W. Dorsch, H. P. Strunk, S. G. Müller, R. Eckstein,
D. Hofmann and A. Winnacker, Phys. Rev. Lett. 1998,80, 740-741.
[43] R. Hristu, S. G. Stanciu, D. E. Tranca, A. Matei and G. A.
Stanciu, Sci. Rep. 2014, 4, 5258.
[44] R. W. Bartlett and G. W. Martin, J. Appl. Phys.1968, 39, 2324-2329.
[45] S. Kawanishi, R. Watanabe and H. Shibata, Cryst. Growth
Des. 2020, 20, 4740-4748.
[46] Wolfspeed, wolfspeed.com/products/materials2022, NC-MAY-2022-V1.